简介： 本发明提供了一种日盲型紫外光电探测器及其制备方法，该日盲型紫外光电探测器，包括：导电基底，其上开设有沟道；Ga2O3纳米柱阵列，其位于所述沟道上；聚甲基丙烯酸甲酯层，其覆盖Ga2O3纳米柱阵列。本发明的日盲型紫外光电探测器，Ga2O3具有高的热稳定性和化学稳定性，其禁带宽度约为4.9eV，只对日盲区的深紫外光敏感，相比传统使用AlGaN、MgZnO等材料，Ga2O3不需要任何掺杂来调节带隙，避免了合金相的成分波动和相分离；而使用的聚甲基丙烯酸甲酯层，使得日盲型紫外光电探测器具有较低的暗电流，在低光强下仍具有较高的开关比。