简介： 本公开提供了一种基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片的制备方法，包括：S1，在CMOS集成电路表面沉积隔离层；S2，在隔离层中刻蚀通孔，填充金属；S3，在隔离层表面溅射金属镍层；S4，在金属镍层的表面等离子增强化学气相淀积石墨烯；S5，腐蚀去除金属镍层；S6，制备电极，得到基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片。本公开还提供了一种基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片的红外成像系统。本公开通过引入石墨烯‑CMOS单片集成探测器芯片可以实现多光谱的红外成像，有效地解决了现有红外成像领域低成本、多光谱红外成像的技术难点。