简介： 本发明属于可见光探测器的技术领域，公开了一种Mg掺杂增强过渡金属硫化物基可见光探测器及其制备方法。所述可见光探测器包括从下至上依次设置的Si衬底层、InGaN层、Mg掺杂的过渡金属硫化物层和电极层。Mg掺杂的过渡金属硫化物层部分覆盖InGaN层。本发明还公开了可见光探测器的制备方法。本发明在InGaN表面部分沉积Mg金属层，利用化学气相沉积制备Mg掺杂TMDs层，引入大量的受主能级，实现了TMDs的p型掺杂，调控了载流子浓度。调控后的载流子优化了材料与电极间势垒高度，降低了暗电流，增强了整流比，提升了器件的响应速度，对于实现高性能、高灵敏的可见光通信用光电探测器具有重要意义。