简介： 本发明提供了一种提高曝光条件准确性的量测结构,属于半导体技术领域。该量测结构包括主图形和哑元图形,其中,哑元图形位于主图形旁侧,且量测结构的整体图形密度与芯片内部器件区域的图形密度相近,从而保证了化学机械抛光过程中量测图形和芯片内部器件区域图形具有大致相同的研磨速率,使整片晶圆更加平坦化,光刻曝光时,量测图形与芯片内部器件区域的最佳成像焦点在同一平面上,通过测量量测图形定义出来的曝光条件即为芯片内部器件区域图形的最佳曝光条件,从而在不影响产能的情况下,有效提高光刻曝光条件的准确性。