简介： 一种折射面入光探测器的制作方法，制作过程包括如下步骤：步骤1： 在衬底上采用MOCVD的方法生长探测器材料结构；步骤2：在探测器材料 结构的上面制作p型欧姆接触；步骤3：在p型欧姆接触的周边向下刻蚀， 形成探测器台面结构；步骤4：在步骤3形成的器件的上表面生长第一SiO2 层；步骤5：在探测器台面结构的一侧腐蚀掉部分第一SiO2层，形成条形 掩模图形结构；步骤6：在掩膜图形结构上，采用化学腐蚀的方法，向下 腐蚀出燕尾槽；步骤7：腐蚀掉器件表面的第一SiO2层，重新在整个器件 的表面生长第二SiO2层；步骤8：在燕尾槽中填入聚合物，使得材料表面 平整；腐蚀掉p欧姆接触上的第二SiO2层；步骤9：在探测器台面结构的 一侧制作p型金属电极；步骤10：将衬底减薄，在衬底的背面制作金属电 极；步骤11：清除掉燕尾槽中的聚合物，解理芯片，完成整个器件的制作。