简介： 本发明涉及一种石墨烯增强型InGaAs红外探测器，解决现有红外探测器探测范围窄和较高暗电流的技术问题。该石墨烯增强型InGaAs红外探测器结构为：在衬底上依次生长的缓冲层、扩展波长的InGaAs吸收层、石墨烯盖层，构成pin探测器结构。本发明公开了在衬底上以两步法生长失配缓冲层的方法。采用适合金属有机物化学气相沉积技术生长又方便控制并且禁带宽度大于扩展波长InGaAs材料的InAsP或InAlAs三元系材料，可有效避免失配位错且适合于背面进光的透明缓冲层结构。本发明提出了使用石墨烯作为InGaAs红外探测器的盖层来扩展探测范围和降低暗电流的方法，实现对探测器性能的提高，具有广泛的应用前景。