基于光刻模型参数预测缺陷率
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基于光刻模型参数预测缺陷率
来源：北方有色网
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简介：
经校准的光刻模型可以被用于基于集成电路(IC)设计布局生成光刻模型输出。然后，可以从光刻模型输出至少提取化学参数。然后，经校准的缺陷率模型可以被用于基于化学参数预测针对IC设计布局的缺陷率。
经校准的光刻模型可以被用于基于集成电路(IC)设计布局生成光刻模型输出。然后，可以从光刻模型输出至少提取化学参数。然后，经校准的缺陷率模型可以被用于基于化学参数预测针对IC设计布局的缺陷率。
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标签：化学分析
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