简介： 本发明能够提供一种半导体器件的形成方法、锗光电探测器的制备方法。该器件形成方法包括：提供半导体衬底，在该半导体衬底上形成二氧化硅层；刻蚀二氧化硅层，以在二氧化硅层上形成凹槽，并露出半导体衬底；在凹槽内通过外延生长的方式形成金属锗层，对金属锗层进行化学机械平坦化处理，以去掉凸出于二氧化硅层上的金属锗；通过负性光刻胶腐蚀掉化学机械平坦化处理过程中在金属锗层上表面形成的损伤层。本发明创新地在对金属锗层进行CMP工序后在锗层上旋涂负性光刻胶，利用负性光刻胶的轻微腐蚀性较好地腐蚀掉抛光后的锗损伤层，从而极大地提高金属锗层质量，进而明显提高了器件的性能，而且具有工艺上易实现且投入成本低等优点。