简介： 一种GaN基外延材料位错缺陷的测定方法，步骤如下：将磷酸溶液或者磷酸和硫酸的混合溶液加热至溶液沸腾；将氮化镓样品放入沸腾的酸中腐蚀20～30分钟；取出样品，将样品进行化学清洗并干燥；采用荧光显微镜观察样品，将荧光显微镜的光源转换到强光源，并设为暗场模式，目镜中观察到的材料表面呈现黑色，由于位错形成的不同大小的凹坑的斜面和底部反射入射光，形成大小不同的光斑，统计样品上光斑的数量，得到不同位错总数，将相应的位错总数除以该放大倍数下的观察面积，得到对应的位错密度。本发明利用沸腾的酸类化学品刻蚀结合暗场荧光显微镜技术，利用强光源在暗场条件下光在不同位错缺陷位置呈现出的不同大小的光斑，可对位错进行测定。