简介： 本发明公开了一种GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的制备工艺。其技术方案是：利用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了GaN单晶薄膜，并对样品进行X射线衍射和光致发光谱测量。利用GaN样品成功地制备了MSM结构GaN紫外光电探测器。本发明的特点是：GaN基材料还具有很高的热导率和电子饱和速度，极高的击穿电场，稳定的物理和化学特性。MSM结构因其平面型、制备工艺相对简单、无需制作p2n结、避开掺杂和欧姆接触等问题容易获得高量子效率、高响应速度以及便于单片光电集成等诸多优点而倍受青睐。