简介： 本发明公开了一种适用于高频光电导衰减法测量半导体级单晶硅少子寿命的预处理方法，包括以下步骤：(1)将单晶硅棒加工成圆柱形；(2)将步骤(1)得到的单晶硅棒进行化学抛光；(3)冲洗完成化学抛光的单晶硅棒，干燥。本发明提供的预处理方法可以有效消除因硅棒的边界效应和表面复合效应引起的少子寿命的测量误差，使测量结果更能真实反映单晶硅棒晶体结构和深能级金属含量的实际情况。