简介:
本发明公开了一种红外双色碲镉汞探测器台面钝化方法,包括:步骤A:对双色碲镉汞探测器的芯片台面裸露的碲镉汞进行腐蚀,消除物理损伤薄膜,去除表面硫化锌膜层;步骤B:利用磁控溅射设备对经过步骤A处理后的芯片台面进行钝化处理;本发明在碲镉汞平面单色钝化工艺的基础上,选择磁控溅射设备,结合优化的台面湿化学预处理工艺,对溅射压力和靶间距离等关键参数进行系统优化,最终获得良好的表侧面钝化效果。
本发明公开了一种红外双色碲镉汞探测器台面钝化方法,包括:步骤A:对双色碲镉汞探测器的
芯片台面裸露的碲镉汞进行腐蚀,消除物理损伤薄膜,去除表面硫化
锌膜层;步骤B:利用磁控溅射设备对经过步骤A处理后的芯片台面进行钝化处理;本发明在碲镉汞平面单色钝化工艺的基础上,选择磁控溅射设备,结合优化的台面湿化学预处理工艺,对溅射压力和靶间距离等关键参数进行系统优化,最终获得良好的表侧面钝化效果。