简介： 本发明公开了一种扩展波长近红外探测器缓冲层的生长方法，其包括：在第一温度下采用金属有机化学气相沉积工艺或分子束外延工艺在InP衬底上生长InxGa1?xAs低温层、InAsyP1?y低温层或InzAl1?zAs低温层中的一种；将InP衬底的温度升高到第二温度，并对InxGa1?xAs低温层、InAsyP1?y低温层或InzAl1?zAs低温层进行退火处理；在第三温度下生长InwGa1?wAs组分渐变层、InAswP1?w组分渐变层或InwAl1?wAs组分渐变层中的一种，其中，第二温度高于第一温度，第三温度高于第二温度。本发明能够减小缓冲层厚度、降低位错密度，以获得高速性能更加优良的探测器件。