简介： 本发明公开了一种紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器的制备方法包括清洗钛片、电化学腐蚀钛片预处理、生长p型GaN纳米阵列、电化学腐蚀制备TiO₂和蒸镀电极，该紫外探测器具有较高比容的GaN和TiO₂，生成异质结电场，可实现对光生电子/空穴的快速分离。本发明得到的紫外探测器具有较高的暗光电流比，同时具有自驱动和高响应速度等特点。