简介： 本发明提供了一种晶体硅体少子寿命的测试方法，包括以下步骤：S100：去除待测晶体硅表面的污垢和氧化层；将去除表面污垢和氧化层的待测晶体硅置于化学腐蚀液中浸泡30s～10min；将所述经化学腐蚀液浸泡后的待测晶体硅进行光照处理和/或热处理；S200：对所述经过步骤S100处理的待测晶体硅进行厚度测量和表观少子寿命测试；S300：将步骤S200得到的厚度和表观少子寿命代入公式中，得到晶体硅的体少子寿命：其中，τeff代表表观少子寿命；τbulk代表体少子寿命；Dn代表少子扩散系数；W代表待测晶体硅的厚度。利用本发明的方法大大提高了测试结果的准确度，能够准确反映待测晶体硅的质量，且该方法重复性好，具有很高的实际应用价值。