简介： 一种量子阱红外探测器(QWIP)焦平面(FPA)的制备方法,制备从两异质晶片,硅晶片和GaAs晶片开始,硅晶片和GaAs晶片上分别制有硅基读出集成电路和终止层、下电极层、量子阱层、上电极层、二维光栅,首先用化学机械平坦化工艺,使制有硅基读出集成电路的硅晶片的表面光滑、平整、清洁,接着在把同样光滑、平整、清洁的GaAs晶片的上电极与硅晶片上的对应的金属电极对位,用低温异质晶片键合方法对两晶片进行预键合、低温热处理,直至两晶片键合在一起,然后减薄GaAs晶片的籿底,选择刻蚀蚀去剩余的籿底,用腐蚀液蚀去终止层,最后完成量子阱红外探测器与硅基读出集成电路对应电极的连接,得产品,量子阱红外探测器焦平面。该方法具有制造成本低、产品机械强度高和可靠性好等优点。