简介： 本发明涉及一种碲铟汞光电探测器芯片制作方法，经过碲铟汞(Hg3In2Te)晶片表面处理、晶片表面生长氧化层、生长钝化保护层、去除探测器光敏区的钝化层、在光敏区形成碲铟汞氧化膜、生长透明金属电极(ITO)薄膜、利用光刻技术及剥离工艺，最后去除电极以外区域的ITO膜形成肖特基接触电极结构，在晶片表面生长氧化层以及在光敏区形成碲铟汞氧化膜是利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)系统依靠自身氧化生长而成。由于采用等离子氧化技术使得碲铟汞晶片氧化膜具有均匀、致密、稳定等优点，提高了肖特基势垒，所以与ITO透明金属电极形成的肖特基结构，充分发挥了肖特基型光电探测器是一种多子器件、没有“少子”存贮效应的特性，开关时间短，具有良好的高频特性和开光特性，而且提高了开路电压与效率。