简介： 本发明特别涉及苯乙胺银铟溴的制备方法和半导体辐射探测器及制备方法，属于射线成像探测器技术领域，苯乙胺银铟溴由(C₆H₅CH₂CH₂NH₃)Br、AgBr、InBr₃和氢溴酸溶液制得，其中，(C₆H₅CH₂CH₂NH₃)Br、AgBr、InBr₃的摩尔比为2∶1∶1；苯乙胺银铟溴的化学式为(C₆H₅CH₂CH₂NH₃)₄AgInBr₈，并将该苯乙胺银铟溴作为吸光层的制备材料应用于半导体辐射探测器，苯乙胺银铟溴具有暗电流低，灵敏度高，稳定性好等优势，使得本发明实施例提供的半导体辐射探测器具备高性能、无毒、稳定等特点，解决了现有技术存在的工艺复杂、灵敏度低、环境污染和稳定性差等问题，同时也解决了灵敏度、工作偏压、稳定性和环境污染等指标不能兼顾问题。