简介： 本发明提供了在线测试半导体器件衬底的方法，包括：在半导体器件衬底上形成低K介电材料，在低K介电材料表面形成顶部介质阻挡层，再在低K介电材料和顶部介质阻挡层中刻蚀出沟槽，然后在沟槽中填充金属；进行第一次化学机械研磨工艺，使填充的金属顶部与沟槽顶部齐平，从而得到低K介电材料表面覆盖有介质阻挡层的互连层结构，作为待测半导体器件衬底；对低K介电材料表面覆盖有介质阻挡层的待测半导体器件衬底执行在线测试；在线测试中填充的金属顶部表面生成氧化物；进行第二次化学机械研磨工艺，去除填充的金属表面生成的氧化物和低K介质材料表面的顶部介质阻挡层。本发明确保在线测试后得到没有氧化膜的互连结构和无损伤的低K介电材料。