简介： 本发明涉及一种通过硅片自旋转及振荡机构改善蚀刻率的测试方法，包括以下步骤：1)将蚀刻制程槽补液到规定液位，进行制程槽化学液加热，加热时保证化学液在循环管路上利用石英在线式加热器进行加热；2)从25片硅片中随机抽取6片，在每一片上标记13个测试点，测量蚀刻前的厚度；将测试片分别置于上货区，自动机械手臂夹取至蚀刻制程槽，蚀刻后移至DI清洗槽；3)在原先标记的13个测试点测试硅片厚度，得硅片被蚀刻掉的厚度，计算得到每一点的蚀刻速率，从而计算得到每一片硅片的蚀刻均匀性，进而计算6片测试片的蚀刻均匀性；本发明对蚀刻均匀性有比较明显的改善，并且不同的上下振荡速率及硅片旋转速率对蚀刻均匀性有比较明显的影响。