简介： 一种二氧化钛紫外光电探测器的制备方法,涉及一种半导体光电探测器件。提供一种器件暗电流较小的二氧化钛紫外光电探测器及其制备方法。探测器采用金属-半导体-金属结构,从下到上包括一层绝缘衬底,利用磁控溅射技术在绝缘衬底上沉积的多晶TiO2薄膜,用磁控溅射或电子束蒸发技术在TiO2薄膜上制备的叉指金属电极。采用优化溅射工艺参数沉积高质量多晶TiO2薄膜,沉积的薄膜具有理想的化学配比,高的致密度和结晶度。利用该薄膜为基体制备的MSM结构紫外探测器具有响应度高,暗电流小,紫外可见抑制比高等优点。制备过程简单,成本低,若在Si基衬底上制作,则可与成熟的Si工艺兼容,有利于光电集成,容易产业化。