简介： 一种n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器的制作方法,属于光电子信息领域,解决了ZnO光电导探测器响应速度比较慢的问题,它包括以下步骤:步骤一,用化学清洗方法将石英衬底清洗干净;步骤二,在清洗干净的石英衬底上生长Ga掺杂的ZnO薄膜;步骤三,将生长Ga掺杂的ZnO薄膜放入氧气氛下退火;步骤四,在退火后的Ga掺杂的ZnO薄膜上蒸镀两个Al电极;其结构自下而上依次是:石英衬底,Ga掺杂的ZnO薄膜、两个Al电极。Ga掺杂的ZnO薄膜组分质量比为Ga2O3∶ZnO=(0.5%～3%)∶(97%～99.5%)。可用于环境保护、火焰探测、天文学观测、生物医学和医疗卫生等领域。