简介： 本发明公开了一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法,包括:在半绝缘砷化镓衬底上,外延生长一定厚度的AlGaAs牺牲层;在AlGaAs牺牲层上外延生长一定厚度的砷化镓;在砷化镓层上外延生长一定密度InAs量子点;外延生长一定厚度的砷化镓,将InAs量子点埋住;在砷化镓上采用等离子体化学气相淀积法(PECVD)镀上一层SiO2薄膜;在SiO2薄膜上悬涂一层电子束胶;采用电子束曝光法在电子束胶上制作光子晶体图形;采用反应离子刻蚀方法将电子束胶上的光子晶体图形转移至SiO2上,并去胶;采用扫描电镜(SEM)对样品进行测试,观测并计算光子晶体孔洞的垂直度。利用本发明,不用观察光子晶体孔洞截面,只测试光子晶体表面,便可测试出光子晶体孔洞侧壁垂直度。