简介： 本发明涉及一种多晶碘化汞薄膜室温核辐射探测器的制备方法,特别是一种X射线、Γ射线室温核辐射探测器的制备方法,属半导体探测器制备工艺技术领域。该探测器的制备方法是:先将在衬底基片上制得的由柱状晶粒组成的多晶薄膜进行机械粗抛光、细抛光、表面化学腐蚀、清洗,晾干各工序,然后采用掩膜板蒸镀电极,最后对探测器进行封装和安装固定。本发明制得的探测器在室温下具有优秀的X射线、Γ射线能量分辨率。