简介： 本发明涉及一种具有全波长的光探测器及制备方法，该光探测器包括：一基底，在基底上生长一层ZnO或La1－xSrxMnO3膜，再在ZnO或La1－xSrxMnO3膜上生长一层La1－xSrxMnO3或ZnO膜形成异质结，ZnO/La1－xSrxMnO3异质结结构与基底一起构成光探测器的芯片；所述的第一电极设置在ZnO膜上，第二电极设置在La1－xSrxMnO3膜上，第一电极引线和第二电极引线连接在电极上；所述的La1－xSrxMnO3，其中x为0.01－0.5。该器件采用常规分子束外延、脉冲激光淀积、化学气相沉积、溅射、物理气相沉积或超声喷雾的方法和设备，在基底上进行制备异质结形成光探测器芯片。当光照射探测器后直接产生电压信号，不需要任何辅助的电源和电子电路。其响应波段从紫外到远红外，光生电压信号可达近百mV。