简介：
本发明公开了一种碲锌镉像素探测器电极的钝化方法,用于对碲锌镉像素探测器电极进行钝化,降低漏电流。所述方法首先采用CdZnTe晶体,进行线切割,研磨、机械抛光、清洗后在2%Br-MeOH中化学抛光,得到待用的CdZnTe晶片。然后将经机械抛光和化学抛光的CdZnTe晶片通过清洗、涂胶、烘干、曝光、显影、真空蒸镀电极和剥离等工艺,制备出像素探测器电极;然后放入RIE-3型反应离子刻蚀机中抽真空,真空度为0.3333～0.3999Pa;调节氧气流量为70～80cm3/min;调节工作气压为0.5～1.0Pa;调节射频功率为8～12W;刻蚀时间为35～50min。通过上述步骤CdZnTe像素探测器电极间的CdZnTe表面生成致密氧化物薄膜,漏电流减小了一个数量级,达到了钝化目的。?
本发明公开了一种碲
锌镉像素探测器电极的钝化方法,用于对碲锌镉像素探测器电极进行钝化,降低漏电流。所述方法首先采用CdZnTe晶体,进行线切割,研磨、机械抛光、清洗后在2%Br-MeOH中化学抛光,得到待用的CdZnTe晶片。然后将经机械抛光和化学抛光的CdZnTe晶片通过清洗、涂胶、烘干、曝光、显影、真空蒸镀电极和剥离等工艺,制备出像素探测器电极;然后放入RIE-3型反应离子刻蚀机中抽真空,真空度为0.3333～0.3999Pa;调节氧气流量为70～80cm3/min;调节工作气压为0.5～1.0Pa;调节射频功率为8～12W;刻蚀时间为35～50min。通过上述步骤CdZnTe像素探测器电极间的CdZnTe表面生成致密氧化物薄膜,漏电流减小了一个数量级,达到了钝化目的。?
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京公网安备 11010702002294号
