简介:
本发明涉及一种测试薄膜残余应力及其沿层深 分布的方法。采用光杠杆系统测量试片曲率半径,由激光器产 生的入射光束,依次经由“半透镜”与试片表面的透射和反射, 到达硅光电池接收器。反射光束随拱形试片水平运动而偏转, 试片的移动距离l与硅光电池随光束偏转而移动的距离D存在 线性关系,由此关系的斜率可计算试片曲率半径。利用化学 或电化学等方法将试片上的薄膜逐层剥除,求出每次剥除前 后试片曲率半径的当量变化量 Ri*,并将该变化量,基片弹性常数 Es、 vs和基片厚度 hs,及每次剥除薄膜的厚度 hl代入式 ,即可求得每层薄膜的残余应力,从而得到薄膜的残 余应力及其沿层深方向的分布。本发明中提出的光杠杆系统测 量试片曲率半径方法,设计新颖,测量精度高。
本发明涉及一种测试薄膜残余应力及其沿层深 分布的方法。采用光杠杆系统测量试片曲率半径,由激光器产 生的入射光束,依次经由“半透镜”与试片表面的透射和反射, 到达硅光电池接收器。反射光束随拱形试片水平运动而偏转, 试片的移动距离l与硅光电池随光束偏转而移动的距离D存在 线性关系,由此关系的斜率可计算试片曲率半径。利用化学 或
电化学等方法将试片上的薄膜逐层剥除,求出每次剥除前 后试片曲率半径的当量变化量 Ri*,并将该变化量,基片弹性常数 Es、 vs和基片厚度 hs,及每次剥除薄膜的厚度 hl代入式 ,即可求得每层薄膜的残余应力,从而得到薄膜的残 余应力及其沿层深方向的分布。本发明中提出的光杠杆系统测 量试片曲率半径方法,设计新颖,测量精度高。