简介： 一种硅片边缘膜厚测量方法属于化学机械抛光膜厚测量技术领域。通过本发明中的数学模型可以对边缘膜厚测量曲线进行修正,使其尽可能与真实边缘膜厚曲线一致,使用本发明后测量得到的边缘膜厚值可作为真实边缘膜厚值。本发明解决了电涡流测量硅片膜厚存在的所测边缘膜厚失真的问题,优点在于不用改变硬件设施,只需对数学模型进行修改;使用时,仅需进行简单的离线标定,不会影响化学机械抛光的产量。