简介： 本发明公开硅纳米线—氧化钨纳米线刷状多级结构及其制备方法和在探测二氧化氮中的应用，使用金属辅助化学刻蚀法刻蚀单晶硅以形成硅纳米线阵列，再进行稀疏粗糙化处理后进行沉积钨薄膜材料层，升温以生长一维氧化钨纳米线，最后进行铂电极制备。本发明的硅纳米线/氧化钨纳米线复合异质多级结构气敏敏感元件在室温下工作，且对二氧化氮具有很好的响应，在气体传感器与集成电路工艺兼容，延长传感器寿命，节约能耗，以及危险气体检测方面具有很重要的研究价值。