简介： 本发明公开了一种单层MoS₂同质结、光探测器及其制备方法、电子元件，该单层MoS₂同质结包含：n型MoS₂和相邻的p型掺杂MoS₂，二者构成p‑n同质结；其中，该p型掺杂MoS₂是由单层MoS₂薄膜经过选区p型离子掺杂得到的。在不引入新材料的前提下，利用简单的化学掺杂方式构造同质p‑n结，可以有效提高光生电子空穴分离效率和传输速度，提升由其制备的光探测器的响应度，具有工艺简单，低功耗等优点，还可以应用于柔性整流二极管、开关二极管、太阳能电池等电子元件中，在柔性传感、医疗检测、可穿戴器件方面具有良好的应用前景。