简介： 本发明弯曲平板波过敏感测器的制造方法是利用电化学硅蚀刻停止工艺，蚀刻表面声波元件的N型磊晶硅层达到3微米以内，并加入反射栅极且结合自我组装单分子层以形成弯曲平板波过敏感测器。所述反射栅极可使波传的能量损失降低，并使后续的元件测量与电路设计更加容易。本发明的弯曲平板波过敏感测器具有高准确度、高灵敏度、低操作频率、检测时间短以及成本较低等优点。