简介： 一种氧化物的刻蚀工艺的监测方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面形成有氧化物；刻蚀去除所述氧化物的至少一部分；采用化学溶液清洗所述半导体衬底的表面，所述化学溶液能够与所述半导体衬底反应，而未能与所述氧化物反应；检测清洗后的半导体衬底的表面，以确定是否存在残留的氧化物。本发明方案可以更准确地检测到氧化物刻蚀缺陷，从而及时地确认刻蚀工艺的异常状况，有助于保证产品良率。