简介： 本发明涉及一种利用Cu诱导硅片表面COP的测试装置及其测试方法,属于检测方法技术领域。其主要先将被测试硅片氧化,去除硅片背面氧化膜,将化学反应槽内装满甲醇溶液,依次放置铜板、硅片、铜板、电极,然后将盖子盖严,通过导线连接电极、铜板,并接通电源,用直流电在两极间通电,从化学反应槽中排出甲醇溶液,取出硅片,经干燥处理后测量硅片缺陷数量。本发明可精确地测试硅片里COP密度和分布,找出最佳单晶工艺条件,以好的灵敏度和伸缩性,高速度地对整个硅片进行测量,以此来提高器件产量和可靠性,器件成品率大幅提升。