本公开提供了一种MSM型多孔氧化嫁日盲探测器及其制造方法,其中探测器包括:外延结构和在外延结构表面蒸镀的MSM电极;外延结构包括:衬底、衬底上的u‑GaN外延层和u‑GaN外延层上的n‑GaN外延层;在n‑GaN外延层上层进行
电化学腐蚀得到多孔结构的n‑GaN外延层,对多孔结构的n‑GaN外延层进行氧化处理得到多孔结构的氧化嫁外延层;MSM电极蒸镀在多孔结构的氧化嫁外延层表面。本公开通过热氧化法氧化多孔结构的n‑GaN制备多孔氧化嫁日盲探测器能够显著增大氧化嫁薄膜的比表面积,使更多的氧分子在多孔氧化嫁的表面发生吸附和解吸附,从而大幅度提高氧化嫁探测器的紫外探测性能。