简介： 本发明公开了一种研磨终点探测方法，包括如下步骤：发射一激光至晶圆的被研磨层；晶圆对激光进行反射；通过分析经由晶圆反射的反射光的光强信号变化来判定是否到达研磨终点。还公开了研磨终点探测装置及研磨机台。本发明利用晶圆的被研磨层与下一层材料反射率的差异性，通过分析反射光的光强变化来判断是否研磨到下一层反射率不同的材料，当晶圆的被研磨层被局部研磨完露出下层反射率不同的材料时，反射光信号开始变化，当晶圆上被研磨层的全部被研磨完后反射光信号变化趋缓，即可通过研磨终点探测程序抓到研磨终点。由于研磨终点光学探测信号比较明显，因此探测稳定性和可重复性更高，且可以广泛适用于半导体制造技术中的多种化学研磨工艺。