简介： 本发明公开了一种测量托卡马克第一壁材料表面氘或氚滞留二维分布方法,用于磁约束聚变装置的第一壁材料表面的氘(氚)元素滞留特性的研究,得到壁材料表面微小区域的氘(氚)元素的二维分布。其特征在于用两束高功率可调谐脉冲激光分别共振解离C-H、C-D化学键(解吸附)和共振电离H、D原子,高效率的产生H+、D+离子,用飞行时间质谱对氘(氚)离子进行检测。用显微镜/摄像机系统观察被测样品区域,用精密二维电动平台实现样品二维分析,本发明可高灵敏,高分辨、快速高效的测量氘(氢、氚)元素在第一壁材料表面的分布情况,为细致研究氘(氚)表面滞留特性提供依据。