利用分子印迹免疫传感器测定微量土霉素的方法
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利用分子印迹免疫传感器测定微量土霉素的方法
来源:北方有色网
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简介: 本发明公开了一种利用分子印迹免疫传感器测定微量土霉素的方法。当土霉素分子印迹膜在金电极表面形成、和土霉素分子作用的时候,对苯二酚在金电极上的电化学信号发生变化,当检测体系里面存在双氧水的和辣根过氧化酶的时候,电化学信号变化更加显著。利用待测溶液中的土霉素竞争取代分子印迹膜上原有的辣根过氧化酶标记的土霉素的时候,电化学信号会随着未标记的土霉素浓度增加而线性减小,据此建立了一种测定痕量土霉素的电化学分析方法。差分脉冲伏安法法对待测液进行扫描,扫描电压-0.6V到0.8V,土霉素在0mol/L~8×10-8mol/L浓度范围内与峰电流值i呈良好的线性关系。本发明克服了现有技术存在过于复杂等诸多缺点,土霉素的检测限达到10-9mol/L。
本发明公开了一种利用分子印迹免疫传感器测定微量土霉素的方法。当土霉素分子印迹膜在金电极表面形成、和土霉素分子作用的时候,对苯二酚在金电极上的电化学信号发生变化,当检测体系里面存在双氧水的和辣根过氧化酶的时候,电化学信号变化更加显著。利用待测溶液中的土霉素竞争取代分子印迹膜上原有的辣根过氧化酶标记的土霉素的时候,电化学信号会随着未标记的土霉素浓度增加而线性减小,据此建立了一种测定痕量土霉素的电化学分析方法。差分脉冲伏安法法对待测液进行扫描,扫描电压-0.6V到0.8V,土霉素在0mol/L~8×10-8mol/L浓度范围内与峰电流值i呈良好的线性关系。本发明克服了现有技术存在过于复杂等诸多缺点,土霉素的检测限达到10-9mol/L。
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标签:化学分析
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