简介： 本发明提供一种金属薄膜缺陷的检测方法，先在半导体衬底上形成具有铜析出物的金属薄膜，然后执行湿法清洗工艺以在所述金属薄膜的表面形成与所述铜析出物对应的空洞，在执行湿法清洗工艺的过程中，湿法清洗工艺的清洗液会与金属薄膜表面的铜析出物发生化学反应从而形成所述空洞，通过空洞可以简单、准确及快速的得到金属薄膜表面的铜析出物的缺陷分布。进一步的，通过扫描所述金属薄膜以获得所述金属薄膜表面预定区域内的空洞的数量，可将金属薄膜表面的铜析出物缺陷可量化，由此可以表征金属薄膜的铜析出物缺陷的含量，从而通过铜析出物的含量评估金属薄膜的质量。