简介： 本发明公开了一种具有InAlN背势垒层的重金属离子检测传感器，属于半导体、化学传感技术领域。所述重金属离子检测传感器，包括：衬底材料上依次形成的成核层、缓冲层、InAlN背势垒层、沟道层、势垒层、钝化层以及源极、漏极和栅极；本发明引入InAlN背势垒结构抬高了缓冲层势垒，降低了器件的寄生效应、抑制缓冲层漏电流，从而提高了传感器检测的可靠性；采用半胱氨酸溶液修饰栅极，半胱氨酸的羧基和氨基与重金属离子结合成螯合物的能力较强，提高了提高传感器的灵敏度；且半胱氨酸材料无毒害、自组装修饰效果好，修饰时间较短，操作简便，有效地改善检测环境，降低了器件的生产成本。