简介： 本发明提供一种CVD单晶金刚石位错密度的检测方法，包括单晶金刚石待测表面的研磨抛光和清洗，并通过化学腐蚀去除晶体表面机械损伤层，然后采用离子刻蚀的方法在单晶金刚石的待测表面形成位错蚀坑，对待测表面取样并对表面形貌进行检测，统计取样面积内位错蚀坑数量，最后计算得到单晶金刚石的位错密度，采用该方法可准确实现CVD单晶金刚石{100}或{111}晶面位错密度的检测。