简介： 本申请涉及一种半导体机台的气密性检测方法。所述半导体机台的气密性检测方法包括如下步骤：形成测试芯片，所述测试芯片包括衬底以及位于所述衬底上的测试膜层，所述测试膜层中具有测试图案，所述测试膜层具有化学反应活性；获取所述测试图案的第一特征尺寸；放置所述测试芯片至半导体机台内部；于所述半导体机台内部建立真空环境；获取自所述半导体机台内部取出后的所述测试图案的第二特征尺寸；判断所述第一特征尺寸是否大于所述第二特征尺寸，若是，则确认所述半导体机台的气密性差。本申请缩短了半导体机台气密性检测的时间，降低了半导体机台气密性检测的成本，并提高了半导体机台气密性检测的准确度。