简介： 提出用于制造辐射检测结构的方法。所述方法包括(例如)：制造辐射检测结构，所述制造包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有从其表面延伸到所述半导体衬底中的多个凹腔；及将辐射检测材料的辐射检测粒子电泳式沉积至延伸到所述半导体衬底中的所述多个凹腔中，其中所述电泳式沉积用所述辐射检测粒子填充所述多个凹腔。在一个实施例中，所述提供可包括电化学蚀刻所述半导体衬底以形成延伸到所述半导体衬底中的所述多个凹腔。另外，所述提供可进一步包括用多个表面缺陷区域图案化所述半导体衬底的所述表面，且所述电化学蚀刻可包括使用所述多个表面缺陷区域来便于穿过所述多个表面缺陷区域电化学蚀刻到所述半导体衬底中，以形成所述多个凹腔。