简介:
本发明涉及一种用于在磁共振光谱学或磁共振成像中接通局部饱和脉冲的方法,其中在饱和脉冲期间接通磁场梯度,该方法包括步骤:确定检查区域;确定饱和脉冲相对于该检查区域的位置;确定待饱和信号的频谱位置;根据饱和脉冲相对于检查区域的位置以及待饱和信号的频谱位置选择磁场梯度。
本发明涉及一种用于在磁共振光谱学或磁共振成像中接通局部饱和脉冲的方法,其中在饱和脉冲期间接通磁场梯度,该方法包括步骤:确定检查区域;确定饱和脉冲相对于该检查区域的位置;确定待饱和信号的频谱位置;根据饱和脉冲相对于检查区域的位置以及待饱和信号的频谱位置选择磁场梯度。