简介： 本发明涉及适用于薄膜形式的光伏应用的I-III-VI化合物的制造工艺，其包括以下步骤：a)在电极表面上电镀薄膜结构，该电镀薄膜结构由I族和/或III族元素组成，该电极形成基底(SUB)；b)将至少一个VI族元素合并于该结构内，以便于获得I-III-VI化合物。根据本发明，所述电镀步骤包括检测在接收沉淀的基底整个表面上的薄膜厚度均匀度，该厚度均匀度不能大于3％。