简介： 一种化学机械抛光仿真的方法和装置，其中，所述CMP仿真的方法包括：输入芯片版图，芯片版图包括多个图形；将芯片版图划分初始网格，初始网格包括多个子网格，计算初始网格的图形特征；对初始网格进行移位，产生移位网格，计算初始网格和移位网格的平均图形特征；根据初始网格的图形特征，进行CMP仿真，对芯片版图上存在的第一热点进行定位；根据所述平均图形特征以及定位的第一热点，对初始网格的图形特征进行修正，产生优化网格的图形特征；根据优化网格的图形特征，进行CMP仿真，对芯片版图上存在的第二热点进行定位。本发明实施例的方法，考虑到近邻子网格间的长程关联效应，减少了错误热点的预测数量，提高了CMP仿真的准确性。