简介： 本发明涉及利用模板电化学合成技术制备多层纳米线的方法；采用三个电镀槽，利用三电极体系进行控电位沉积；先将二次阳极氧化铝膜电极置于NiFe电镀槽中，控电位沉积NiFe合金，经超声清洗，快速转换至Cu电镀槽中，控电位沉积Cu，后经超声清洗，快速转换至Co电镀槽中，控电位沉积Co，然后经超声清洗，快速转换至Cu电镀槽中，控电位沉积Cu，为1个周期，如此重复，获得NiFe/Cu/Co/Cu多层纳米线。利用本发明方法制备的NiFe/Cu/Co/Cu自旋阀多层纳米线的巨磁电阻(GMR)效应，可制作高密度磁随机存储器、巨磁电阻读出磁头、高灵敏度磁传感器等，在信息存储、自动测量等领域有着广阔的应用前景。