简介： 本发明公开了一种基于化学气相沉积制备具有光电响应的二硒化铌纳米片阵列的方法，是以五氧化二铌粉末和硒粉为原料，通过一步常压化学气相沉积在氧化硅衬底上生长出高质量的二硒化铌纳米片阵列。本发明具有生长简便、大面积、高效的特点，所制备的材料具有良好的紫外‑可见光吸收性能和良好的稳定性，且光探测响应速度快。