简介： 本发明提供一种用于化合物半导体器件的化学 抛光腐蚀液，该腐蚀溶液是选择双氧水为氧化剂，盐 酸为络合剂，按体积比为HCl∶H2O2＝(2～6)∶1 配制的混合溶液，CdTe、GaAs化合物半导体器件经 过这种腐蚀溶液化学抛光，都能制备出性能优良的核 辐射探测器。使用该腐蚀液对环境无污染、操作简 单，用去离子水可直接淬灭，因此成本低，有广泛推广 应用价值。