简介： 本发明实施例提供一种用于化学机械研磨的系统、控制方法以及仪器。化学机械抛光仪器包括抛光垫、第一传感器、抛光头以及调节器。所述抛光垫包括位于其上的多个凹槽。第一传感器用于测量所述抛光垫的垫轮廓，其中所述抛光垫的所述垫轮廓包括所述多个凹槽的深度。抛光头位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓抛光推向所述抛光垫的芯片。调节器位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓修复所述抛光垫。根据至少一个抛光条件操作所述抛光头以及所述调节器，且根据所述抛光垫的所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件。