简介： 本发明提供一种混合式化学机械抛光工艺的线上控制方法,首先提供一混合式化学机械抛光系统,包含第一抛光平台及第二抛光平台,分别为不同类型研磨抛光垫。提供一批次的待抛光产品晶片,其上已形成图案化结构,及第一介电层沉积在该图案化结构及第二介电层上。依序在该第一抛光平台上抛光该批次中至少3片的先行产品晶片,线上进行该先行产品晶片上剩余介电层厚度的量测,建立起一线性的抛光速率表,再依据该抛光速率表,依序在该第一抛光平台上抛光该批次中剩下的产品晶片,将该第一介电层厚度抛光至目标厚度。